Вчені знайшли заміну кремнію для подальшого зменшення розмірів транзисторів



Десятки років кремній залишався домінуючим матеріалом для виробництва мікрочіпів, але його панування може закінчитися. Фахівці MIT виявили, що сплав арсеніду індію-галію (InGaAs) може стати основою технології виробництва транзисторів меншого розміру, що володіють більшою енергетичною ефективністю.

Цей матеріал володіє відмінними властивостями транспорту електронів. Транзистори з InGaAs можуть швидко обробляти сигнали і працювати при відносно низькій напрузі, тобто дійсно здатні підвищити продуктивність комп’ютерів, пише MIT News.

Особливості матеріалу

У малому масштабі транспорт електронів у матеріалі погіршується. Ця проблема змусила деяких дослідників оголосити InGaAs невідповідним матеріалом для виробництва транзисторів. Однак, як з’ясували вчені з MIT, проблеми з продуктивністю арсеніду індію-галію відбуваються почасти через захоплення оксиду, в результаті чого електрони починають гірше проходити через транзистори.



Вивчивши їх частотну залежність – швидкість, з якою електричні імпульси проходять через транзистор – фахівці звернули увагу, що на низьких частотах продуктивність InGaAs падає. Але на частоті 1 ГГц і більш з’єднання працює відмінно – не гірше, ніж кремній.

Вчені впевнені, що цю проблему можна вирішити, а також сподіваються, що їх відкриття надихне нові дослідження арсеніду індію-галію.

Для чого це потрібно

Для того, щоб зростання потужності комп’ютерів не зупинилося, потрібні більш компактні транзистори. На сьогодні виробництво напівпровідників засноване на кремнії, але є й альтернативи. Наприклад, арсенід індію-галію (InGaAs).

Іншою альтернативою кремнію в польових транзисторах можуть стати вуглецеві нанотрубки, проте досі їх виробляли у невеликих кількостях в лабораторіях. Нещодавно фахівці з США запропонували технологію створення CNFET у промислових масштабах, тож є надія, що технології на базі цього матеріалу вже скоро набудуть значного поширення.



Комментарии 0

Оставить комментарий